نانوساختارهای متخلخل اکسید آلومینیوم
نانوساختارهای متخلخل اکسید آلومینیوم
در سال‌های اخیر، محققان تلاش‌های زیادی برای یافتن روش‌های نسبتاً ساده، برای تولید نانوساختارها نموده‌اند. در این راستا روش‌های تولید نانوساختارهای خود نظم یافته با آرایه‌ی متناوب، به طور ویژه‌ای مورد توجه قرار گرفته است. یکی از این روش‌ها، فرآیند آندایز آلومینیوم است که طی آن لایه‌ی اکسید فلزی متخلخلی شامل آرایه‌ی منظمی از نانوحفره‌ها تشکیل می‌شود. این لایه متخلخل اکسیدی برای ساخت نانوسیم، نانولوله و ... استفاده می‌شود. فرآیند آندایز آلومینیوم روشی نسبتاً آسان بوده و در نهایت آرایه‌ای از نانوحفره‌های موازی با چگالی بالا را ایجاد می‌کند. در این مقاله، به توضیح ساختار آلومینای متخلخل و چگونگی شکل‌گیری آن و همچنین عوامل موثر بر آن پرداخته می‌شود.
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر می‌باشد.
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر می‌باشد.
- مقدمه
- ساختار آلومینای آندی متخلخل
- چگونگی شکل‌گیری و مکانیزم رشد لایه‌ی اکسید متخلخل
- پارامترهای هندسی لایه اکسیدی
- عوامل مؤثر بر پارامترهای هندسی ساختار آلومینای متخلخل
- نتیجه‌گیری
لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - P. G. Sheasby, R. Pinner, “The Surface TreatmentFinishing of Aluminumits Alloys”, 6th edition, UK: ASM International & Finishing Publications, Vol.2 (2001).
۲ - F. Keller, M. S. Hunter, D. L. Robinson, “Structural Features of Oxide Coatings on Aluminum”, J. Electrochem. Soc., Vol. 100, pp. 411–419 (1953).
۳ - - J. P. O'Sullivan, G.C. Wood, “The MorphologyMechanism of Formation of Porous Anodic Films on Aluminium”, Proceedings of The Royal Society A, Vol.317, pp. 511–543 (1970).
۴ - A. Eftekhari, “Nanostructured Materials in Electrochemistry”, 1st Edition, USA: WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, (2008).
۵ - G. E. Thompson, G. C. Wood, “Treatise on Materials ScienceTechnology”, Academic Press New York, Vol. 23 (1983).
۶ - G. E. Thompson, R. C. Furneaux, G. C. Wood, J. A. Richardson, J. S. Goode, “Porous Anodic Film Formation on Aluminium”, Nature, Vol. 272, pp. 433–435 (1978).
۷ - S. Ono, N. Masuko, “The High Resolution Observation of Porous Anodic Films Formed on Aluminum in Phosphoric Acid Solution”, Corrosion Science, Vol. 33, pp. 841–850 (1992).
۸ - J. W. Diggle, T. C. Downie, C. W. Goulding, “Anodic Oxide Films on Aluminum”, Chem. Rev., Vol. 69, pp. 365–405 (1969).
۹ - G. Patermarakis, P. Kerassovitou, “Study on the Mechanism of Oxide HydrationOxide Pore Closure During Hydrothermal Treatment of Porous Anodic Al2O3 Films”, Electrochimica Acta, Vol. 37, pp. 125–131 (1992).
۱۰ - G. E. Thompson, “Porous anodic alumina: Fabrication, CharacterizationApplications”, Thin Solid Films, Vol. 297, pp. 192–201 (1997).
۱۱ - G. E. Thompson, G. C. Wood, “Treatise on Materials ScienceTechnology”, Academic Press New York, Vol. 23 (1983)2
۱۲ - G. E. Thompson, R. C. Furneaux, G. C. Wood, J. A. Richardson, J. S. Goode, “Porous Anodic Film Formation on Aluminium”, Nature, Vol. 272, pp. 433–435 (1978)2.
۱۳ - J. P. O'Sullivan, G.C. Wood, “The MorphologyMechanism of Formation of Porous Anodic Films on Aluminium”, Proceedings of The Royal Society A, Vol.317, pp. 511–543 (1970).
۱۴ - F. Li, L. Zhang, R. M. Metzger, “On the Growth of Highly Ordered Pores in Anodized Aluminum Oxide”,Chem. Mater., Vol. 10, pp. 2470–2480 (1998).
۱۵ - K. Nielsch, J. Choi, K. Schwirn, R. B. Wehrspohn, U. Gösele, “Self-Ordering Regimes of Porous Alumina: The 10% Porosity Rule”, Nano Lett., Vol. 2, pp. 677–680 (2002).
۱۶ - G. D. Sulka, K. Parkola, “Anodising Potential Influence on Well-Ordered Nanostructures Formed by Anodisation of Aluminium in Sulphuric Acid”, Thin Solid Films, Vol. 515, pp. 338–345 (2006).
۱۷ - G. D. Sulka, K. G. Parkola, “Temperature Influence on Well-Ordered Nanopore Structures Grown by Anodization of Aluminium in Sulphuric Acid”, Electrochimica Acta, Vol. 52, pp. 1880–1888 (2007).
۱۸ - G. E. Thompson, “Porous Anodic Alumina: Fabrication, CharacterizationApplications”, Thin Solid Films, Vol. 297, pp. 192–201 (1997)2.
۱۹ - A-P. Li, F. Müller, A. Birner, K. Nielsch, U. Gösele, “Polycrystalline Nanopore Arrays with Hexagonal Ordering on Aluminum”, J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 17, pp. 1428–1431 (1999).
