مبانی و فیزیک اتصالات نانوالکترونیکی 1
مبانی و فیزیک اتصالات نانوالکترونیکی 1
امروزه ادوات الکترونیکی متعددی با استفاده از فلزات و نیمههادیها تولید و عرضه میشوند. محل اتصال مواد به کار رفته در ساختار این ادوات، یکی از موضوعات مهم در شناخت خواص و عملکرد قطعات الکترونیکی به شمار میرود. نوع اتصال بین نیمههادی و فلز، بر روی نحوه انتقال جریان الکتریکی در محل اتصال اثرگذار است و میتواند منجربه خواص و کاربردهای گوناگون این نوع اتصالات در قطعات میکرو و نانوالکترونیکی شود. از نگاه علمی، ساختار نواری مواد بهکار رفته در یک اتصال، به طور مستقیم بر نحوه انتقال جریان الکتریکی در اتصال نیمههادی- فلز تاثیرگذار است و آن را کنترل میکند. با توجه به ساختار نواری این دو ماده، اتصالات نیمههادی- فلز به دو دسته «مانع شاتکی» و «اتصال اهمی» تقسیمبندی میشوند. در مانع شاتکی، جریان الکتریکی میتواند از یک سمت عبور کند، درحالیکه از سمت مقابل با یک مانع پتانسیلی روبرو است. از این رو، اتصال شاتکی میتواند به عنوان یکسوکننده جریان الکتریکی مورد استفاده قرار گیرد. در مقابل، جریان الکترونی به راحتی از هر دو سمت اتصال اهمی عبور میکند. در این نوع از اتصالات، جریان و ولتاژ اعمالی، رابطه خطی نسبت به یکدیگر دارند و اصطلاحاً اتصال از قانون اهم پیروی میکند. در این مقاله، به تشریح مبانی و فیزیک این دو نوع اتصال پرداخته خواهد شد.
این مقاله شامل سرفصلهای زیر است:
این مقاله شامل سرفصلهای زیر است:
1- مقدمه
2- تاریخچه
3- پیشزمینه
1-3- ساختار نواری مواد الکترونیکی
2-3- انرژی یا سطح فرمی
3-3- تابع کار(work function)
4-3- وابستگی الکترون (electron affinity)
5-3- خمش نوار (band bending)
4- اتصالات مانع شاتکی
5- اتصال اهمی
نتیجهگیری
2- تاریخچه
3- پیشزمینه
1-3- ساختار نواری مواد الکترونیکی
2-3- انرژی یا سطح فرمی
3-3- تابع کار(work function)
4-3- وابستگی الکترون (electron affinity)
5-3- خمش نوار (band bending)
4- اتصالات مانع شاتکی
5- اتصال اهمی
نتیجهگیری
جهت دانلود بر روی فایل صوتی کلیک راست کنید و Save As را انتخاب کنید
لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - Hummel, R.E., Electronic Properties of Materials. 2011: Springer New York.
۲ - Cohen, S.S.G.S. Gildenblat, VLSI Electronics Microstructure Science. vol, 1986. 13: p. 254-261.
۳ - Solymar, L.D. Walsh, Electrical Properties of Materials, Seventh Edition. 2004: Oxford University Press.
۴ - Sharma, B.L., Metal-Semiconductor Schottky Barrier JunctionsTheir Applications. 2013: Springer US.