مبانی و فیزیک اتصالات نانوالکترونیکی 2

مبانی و فیزیک اتصالات نانوالکترونیکی 2
سطح مقاله

تخصصی
کلمات کلیدی

اتصال نیمه‌هادی-نیمه‌هادی
اتصال فلز-عایق-نیمه‎هادی
مانع شاتکی
لایه تهی
لایه معکوس
امتیاز کاربران

۳ امتیاز از ۵ (۱ رای)

 
 
 
آمار مقاله

  • بازدید کل ۵۳,۱۶۷
 
آمار آزمون مقاله

  • کل شرکت کنندگان ۶۷
  • تعداد افراد شرکت کننده ۱۲
 
 

مبانی و فیزیک اتصالات نانوالکترونیکی 2

امروزه اکثر قطعات الکترونیکی در اندازه‎های متنوع میکرو و نانومتری از مواد فلزی، نیمه‎هادی و عایق ساخته می‌شوند. از این‌رو، اتصالات بین این مواد، از اجزای جدایی‌ناپذیر ادوات الکترونیکی به‌شمار می‌روند. اتصالات نیمه‌هادی- فلز در یکی از مقالات سایت آموزش نانو با عنوان «مبانی و فیزیک اتصالات نانوالکترونیکی 1» مورد بحث و بررسی قرار گرفت و مبانی فیزیکی آنها تشریح شد. در کنار اتصال فلز-نیمه‎هادی، اتصالات «نیمه‎هادی-نیمه‎هادی» و «فلز-عایق-نیمه‎هادی» از جمله اتصالاتی هستند که فیزیک و خواص شگفت‎انگیزی دارند. نتیجه این خواص شگرف، کاربردهای گوناگون و خاص این اتصالات در صنایع الکترونیکی است. اتصال نیمه‎هادی-نیمه‎هادی مانند اتصال مانع شاتکی (یکی از انواع اتصالات فلز-نیمه‎هادی) خاصیت یکسوکنندگی دارد و جریان را فقط در یک جهت خاص عبور می‎دهد. همچنین، اتصالات فلز-عایق-نیمه‎هادی باعث جابه‎جایی حامل‎های بار در نیمه‎هادی و تولید لایه تهی و حتی لایه معکوس می‎شود. از لایه تهی و معکوس در ادوات مختلف مانند نانوترانزیستورها استفاده می‏‎شود.

این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- مقدمه
2- اتصال نیمه‎هادی-نیمه‎هادی (اتصال p-n)
3- اتصال فلز-عایق-نیمه‎هادی
نتیجه‎گیری

جهت دانلود بر روی فایل صوتی کلیک راست کنید و Save As را انتخاب کنید


لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - Godse, A.P.U.A. Bakshi, Electronic Devices. 2009: Technical Publications.
۲ - Hummel, R.E., Electronic Properties of Materials. 2011: Springer New York.
۳ - Dalven, R., Introduction to Applied Solid State Physics: Topics in the Applications of Semiconductors, Superconductors, Ferromagnetism,the Nonlinear Optical Properties of Solids. 2012: Springer US.
۴ - Solymar, L.D. Walsh, Electrical Properties of Materials, Seventh Edition. 2004: Oxford University Press.
ارسال نظر