فناوری انباشت لیزری در ساخت لایه های نانو و میکروساختار
فناوری انباشت لیزری در ساخت لایه های نانو و میکروساختار
انرژی حاصل از تابش پرتو لیزر برای تبخیر (یا کندوپاش) و لایهنشانی طیف وسیعی از مواد مورد استفاده قرار میگیرد. این روش زیرمجموعهای از روشهای لایهنشانی فیزیکی بهشمار میرود. در این مقاله، به طور اجمالی به معرفی انباشت لیزری و رسوبدهی با لیزر پالسی پرداخته میشود و عوامل موثر بر آن مورد بحث و بررسی قرار میگیرد. سپس انواع برهمکنشهای لیزر-هدف، دینامیک مواد کندهشده از نمونه، انباشت مواد کندهشده روی زیرلایه و همچنین هستهزایی و رشد پوشش روی زیرلایه بهطور مفصل مورد مطالعه قرار خواهند گرفت. در نهایت پارامترهای مهم لیزر مانند طول موج و مزایا و معایب روش لایهنشانی با لیزر بررسی خواهند شد.
این مقاله شامل سرفصلهای زیر است:
1- مقدمه
2- لایهنشانی لیزر پالسی (Pulsed Laser Deposition)
1-2- برهمکنش لیزر- هدف
1-1-2- کندوپاش
2-1-2- فرآیند حرارتی
3-1-2- فرآیند الکترونیکی
2-2- دینامیک مواد کنده شده از سطح نمونه
3-2- انباشت مواد کنده شده روی زیرلایه
4-2- هستهزایی و رشد لایه روی زیرلایه
3- پارامترهای مهم در لیزر
1-3- طول موج
2-3- مدت پالس
3-3- آهنگ تکرار پالس
4-3- انرژی پالس
5-3- پروفیل باریکه
4- مزایای روش لایهنشانی لیزر پالسی
5- معایب لایهنشانی لیزر پالسی
نتیجهگیری
پیوستها
پیوست 1
لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع