طیف نگاری الکترون های اوژه AES
طیف نگاری الکترون های اوژه AES
از آن‌جایی که برهمکنش الکترون با اتم‌های ماده زیاد است و عمق نفوذ الکترون در ماده اندک است، آنالیزهایی که مبتنی بر فرود الکترون بر سطح ماده است مانند طیف‌نگاری الکترونی اوژه (AES) برای مطالعه سطح مواد، به کار برده می‌شود. الکترون‌های اوژه برای عنصرسنجی و تعیین ترکیب سطح ماده استفاده میشوند. طیف‌نگاری الکترونی اوژه بر اساس اثر اوژه است. اثر اوژه، به فرایند بدون تابشی گفته می‌شود که در آن اتم یا یونی که قبلاً با از دست دادن یکی از الکترون‌های پوسته داخلی یونیزه شده است، جای خالی لایه داخلی را با یک الکترون لایه خارجی پر میکند و هم‌زمان یکی دیگر از الکترون‌های لایه خارجی را به بیرون از اتم میفرستد. این الکترونها پس از ارسال به تحلیلگر انرژی و تعیین انرژی جنبشی آن‌ها، به آشکارساز هدایت میشوند تا تعداد الکترون‌های اوژه تولیدی با انرژی جنبشی مشخص شمارش شوند. در نهایت با توجه به این که سیگنال اوژه ضعیف است، مشتق شدت الکترون‌های اوژه برحسب انرژی جنبشی الکترون اوژه رسم می‌شود.
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- مقدمه
2- اجزای تشکیلدهنده طیفنگار الکترون اوژه
1-2- منابع تولید الکترون
2-2- تحلیلگر انرژی
3-2- آشکارساز
3- نمونه
4- طیف الکترون اوژه
5- میکروسکوپی روبشی اوژه (Scanning Auger Microscopy (SAM
لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - . Watts, J. F., Wolstenholme, J. “An Introduction to Surface Analysis by XPSAES”, 2nd Edition, New York, Wiley (2003).
۲ - Prutton, M. “Surface Physics”, 2nd Edition, New York, Oxford University Press (1985).
علیزاده
۱۴۰۰/۱۲/۱۵عالی بود.
مدیر سیستم
۱۴۰۰/۱۲/۱۷موفق باشید
فرامرزی
۱۴۰۰/۱۱/۰۴مدیر سیستم
۱۴۰۰/۱۱/۰۴