خواص الکتریکی مواد و تئوری نواری

 خواص الکتریکی مواد و تئوری نواری
سطح مقاله

مقدماتی
کلمات کلیدی

مسابقه ملی فناوری نانو
امتیاز کاربران

۴ امتیاز از ۵ (۴۱ رای)

 
 
آمار مقاله

  • بازدید کل ۲۱۹,۱۰۳
 
آمار آزمون مقاله

  • کل شرکت کنندگان ۵۴۹۳
  • تعداد افراد شرکت کننده ۶۴۸
 
 

خواص الکتریکی مواد و تئوری نواری

در این بخش به خواص الکتریکی مواد و بحث‌های فیزیکی پیرامون آن پرداخته خواهد شد. بر این اساس در ابتدا موضوعات کلی در ارتباط با رسانایی الکتریکی در مواد جامد مطرح خواهد شد و در نهایت نیز نیمه‌هادی‌ها، به عنوان یکی از مواد پرکاربرد در الکترونیک و کاربردهای آن‌ها بررسی خواهند شد. لازم به ذکر است مطالعه مقالات قبلی این بخش برای درک کامل مباحث، ضروری است.

این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- رسانایی الکتریکی در مواد جامد
2- نیمه‌رساناها
1-2- اتصال p-n کریستالی
1-1-2. تشکیل ناحیه تهی در یک اتصال p-n
2-1-2. بایاس مستقیم
3-1-2. بایاس معکوس


لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
 

منابـــع و مراجــــع
۱ - Materials ScienceEngineering, An Introduction, William D. Callister, David G. Rethwisch, Eight Edition, John Wiley & Sons, Inc.
۲ - The ScienceEngineering of Materials, Donald R. Askeland, Pradeep P. Fulay, Wendelin J. Wright, Sixth Edition, Cengage Learning, Inc.
۳ - اسگوگ، وست، هالر، ترجمه "عبدالرضا سلاجقه، ابوالقاسم نجفی", مبانی شیمی تجزیه، جلد دوم. تهران: مرکز نشر دانشگاهی, 1380.
ارسال نظر

 
تعداد نظرات : ۲۷

  • وکیلی فتح آبادی

    ۱۴۰۱/۰۴/۲۲
    سلام. ميزان رسانايي عايق ها از ساير مواد بيشتر درج شده است و بايد تصحيح شود.

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۱/۰۴/۲۷
    سلام
    در کدام بخش از مقاله این مطلب آورده شده است
  • دل افروز

    ۱۴۰۱/۰۴/۱۴
    ۱ - بایاس معکوس چه زمانی رخ می‌دهد؟ با سلام در این سوال گزینه را اشتباه زده اید لطفا اصلاح فرمایید.

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۱/۰۸/۱۱
    با توجه به متن مقاله و تعریف بایاس معکوس جواب صحیح می باشد

    بایاس معکوس
    اگر اختلاف پتانسیل در جهت عکس حالت قبل اعمال شود (نیمه‌هادی نوع p به قطب منفی و نیمه‌هادی نوع n به قطب مثبت متصل شود)، عرض ناحیه تهی بیشتر شده و سد انرژی در مقابل حرکت الکترون‌ها بیشتر می‌شود. به این ترتیب جریان الکتریکی در این جهت امکان عبور ندارد. بر خلاف حالت قبل، در این جا با اعمال اختلاف پتانسیل تراز فرمی نیمه‌هادی نوع p به سمت بالا و تراز فرمی نیمه‌هادی نوع n به سمت پایین جابه‌جا شده و باعث افزایش سد انرژی به میزان اختلاف پتانسیل اعمال شده می‌شود.
  • کریمی سوره

    ۱۴۰۱/۰۳/۰۵
    خب اینطوری خیلی چیزای دیگه جز منابع هست که باید خونده بشه که جزو مقالات منابع نیومده!!!؟ چه کنیم این مقالات کجان؟!

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۱/۰۳/۰۷
    سلام 
    بعضی از مقالات برای به دست آوردن اطلاعات بیشتر و تسلط بر موضوع بهتر هست مطالعه شود
    موفق باشید
  • کریمی سوره

    ۱۴۰۱/۰۳/۰۱
    نیم رسانای nو p ک میگن تو قبلیا بحث شده، دقیقا کجا بحث شده

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۱/۰۳/۰۲
    سلام
    در بخش مقالات 
    سلول های خورشیدی- مقدمه‌ای بر خواص اساسی نیمه رساناها 2
     
  • نصراللهی

    ۱۴۰۱/۰۲/۱۲
    سلام توی سطح آسان یه سوال بود با این عنوان نیمه رساناهای ذاتی هنگامی ایجاد میشوند که عناصر گروه ... به سیلیکون اضافه شوند. بعد پاسخ گروه سوم یا پنجم بود ولی به این مطلب توی مقاله اشاره ای نشده بود

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۱/۰۲/۱۷
    سلام
    در جمع بندی بخش دو این مقاله و با توجه به اینکه در متن مقاله اشاره شده است که در مقاله سلول های خورشیدی- مقدمه‌ای بر خواص اساسی نیمه رساناها 2 می توان به این سوال پاسخ داد
  • عرب زاده

    ۱۴۰۱/۰۱/۲۵
    سلام وقت بخیر.یکی از سوالات سطح متوسط گفته کدام یک باعث یکسوکنندگی می شود و جواب صحیح رو زدید هم بایاس مستقیم و هم معکوس.مگه فقط بایاس مستقیم باعث یکسوکنندگی نمیشه؟

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۱/۰۱/۲۷
    سلام
    ممنون از حسن توجه شما
    بررسی و اصلاح شد
  • دانش

    ۱۴۰۱/۰۱/۱۱
    سلام وقت بخیر گفته بسیاری از مطالب این مقاله مربوط به مطالعه مقالات قبلی هستش که در مقدمه این مقاله گفته شده و بر اساس پاسخ های اینجا فرمودید که منظور از مقالات قبلی مقاله ای با عنوان سلول های خورشیدی- مقدمه‌ای بر خواص اساسی نیمه رساناها 2 هستش که متاسفانه این مقاله رو از بین 159 مقاله قرار داده شده نمیبینم

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۱/۰۱/۱۴
    سلام
    به درخت مقالات سایت، بخش انرژی  و بعد هم سلول خورشیدی مراجعه کنید
  • مهدی پور

    ۱۴۰۱/۰۱/۰۸
    سلام 
    ممنون از شما

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۱/۰۱/۱۴
    سلام
    موفق باشید
  • محمدی جهان

    ۱۴۰۰/۱۲/۰۶
    سلام توی جواب یکی از قسمت های سوالات گفته شده که هر گاه یک عنصر سه ظرفیتی مانند آلومینیوم Al یا بور B یا ایندیوم In را که در مدار ظرفیت خود سه الکترون دارند به کریستال سیلیکون یا ژرمانیوم خالص اضافه کنیم، نیمه رسانای نوع n ایجاد می‌شود. درصورتی که برای ساخت یک نیمه هادی از نوع n عناصر 5 ظرفیتی مثل ارسنیک As یا آنتیموانSb یا فسفرP را که در لایه ظرفیت خودشون پنج الکترون دارند به کریستال سیلیکون یا ژرمانیم اضافه میکنیم اشتباه نوشته شده لطفا اصلاح بفرمایید

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۱۲/۰۷
    سلام،
    ممنون از حسن توجه شما
    بررسی و اصلاح شد
  • هوشنگ

    ۱۴۰۰/۱۱/۱۳
    سلام. در یکی از سوالات سطح متوسط زده بود کدام حالت باعث یکسو کنندگی دیود میشود و جواب رو زده بود هم بایاس مستقیم و هم معکوس؛ این در حالیه که در بایاس معکوس تقریبا جریانی غیر نشتی اصلا نیست که بگیم یکسو میشود ؟؟؟

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۱۲/۱۱
    سلام
    بررسی و اصلاح شد
  • احمدی

    ۱۴۰۰/۱۱/۱۲
    با سلام. ببخشید در هر دو مرحله مسابقه سوالات تستی است یا اینکه در مرحله دوم تشریحی هم هست؟

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۱۱/۱۲
    سلام و احترام، آزمون‌های مرحله اول و دوم مسابقه ملی تستی هستند
  • صفرزاده

    ۱۴۰۰/۰۵/۱۵
    با سلام سوالِنیمه رساناهای غیرذاتی هنگامی ایجاد می‌شوند که عناصر گروه ...... به سیلیکون اضافه شود در ازمون آسان این سوال در مقاله اصلا گفته نشده

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۵/۱۶
    با سلام
    به این بخش از مقاله و شکل 2 مقاله دقت کنید، پاسخ سوال از جمع بندی این دو بخش قابل دستیابی است:
    در مورد نیمه‌رساناهای ذاتی، رسانایی تنها بر اساس ذات خود ماده و انتقال الکترون از باند ظرفیت به باند رسانایی انجام می‌شود. این در حالی است که در مورد نیمه‌رساناهای غیرذاتی حضور عناصر ناخالصی با تغییراتی که در ساختار نواری ماده بوجود می‌آورد، باعث رسانایی در ماده می‌شود.
  • بختیاری

    ۱۴۰۰/۰۴/۲۵
    در سوالات سخت یک سوال نوشته برای تشکیل نیمه رسانای نوع n کدام عنصر زیر را نمیتوان به سیلیکون اضافه کرد ؟زده بور جواب بعد تو پاسخ تشریحی نوشته برای تشکیل باید اتم 3 ظرفیتی مثل المینیوم و بور و ایندیم باید اضافه کرد غلطه سوال لطفا اصلاح بفرمایید

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۹/۰۶
    سلام
    هر گاه یک عنصر سه ظرفیتی مانند آلومینیوم (Al) یا بور (B) یا ایندیوم (In) را که در مدار ظرفیت خود سه الکترون دارند به کریستال سیلیکون یا ژرمانیوم خالص اضافه کنیم، نیمه رسانای نوع n ایجاد می‌شود.
    با توجه به توضیح بالا هرکدام از عناصر بالا را به سیلیکون یا ژرمانیوم اضافه کنیم، نیمه رسانای نوع n ایجاد میشود
  • محسنی

    ۱۴۰۰/۰۴/۲۵
    مقالات قبلی مربوط به این مبحث رو چطور میتونم پیدا کنم در سایت؟

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۹/۱۰
    سلام
    در بخش مقالات 
    سلول های خورشیدی- مقدمه‌ای بر خواص اساسی نیمه رساناها 2
    پایدار باشید
  • بختیاری

    ۱۴۰۰/۰۴/۲۴
    در قسمت نیمه رسانا ها نوشته دو نیمه رسانا n و p در مقالات قبلی به طور کامل بحث شده ولی این دومین مقاله واسه مسابقه ملی نانو هست و در مقاله قبلی هم هیچ بحثی در موردش نشده ؟

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۹/۱۰
    سلام
    در قسمت مقالات سایت 
    در مقاله سلول های خورشیدی- مقدمه‌ای بر خواص اساسی نیمه رساناها 2 بحث شده استپ
     
  • شیروی

    ۱۴۰۰/۰۴/۱۲
    با عرض سلام در مقاله دوم در ستون اولخواص الکتریکی مواد و تئوری نواری بخش دوم نیمه رساناها قبل از عکس اول نوشته شده : { نیمه‌رساناهای غیرذاتی به دو دسته نوع n و نوع p تقسیم می‌شوند. ساختار این دو نوع نیمه‌رسانا به طور مفصل در مقالات قبلی بحث شده است. شکل‌های 1 و 2 به صورت خلاصه این دو نوع نیمه‌رسانا را نشان می‌دهند. } میخواستم بدونم منظور از مقالات قبلی کدوم مقالات هست؟

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۹/۰۷
    سلام،
    در مقاله سلول های خورشیدی- مقدمه‌ای بر خواص اساسی نیمه رساناها 2 به این موضوع برداخته شده است.
  • فخرالدین مبارکی

    ۱۴۰۰/۰۴/۰۷
    با سلام در آزمون سوال سخت امده که با افزودن کدام عنصر به سیلیکون نمیتوان نیمه رسانای نوع n ساخت و جواب رو بور در نظر گرفته درصورتی که سیلیکون و بور نیمه رسانای نوع n هستند.

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۹/۰۷
    سلام،
    هر گاه یک عنصر سه ظرفیتی مانند آلومینیوم (Al) یا بور (B) یا ایندیوم (In) را که در مدار ظرفیت خود سه الکترون دارند به کریستال سیلیکون یا ژرمانیوم خالص اضافه کنیم، نیمه رسانای نوع p ایجاد می‌شود.
  • علیپور

    ۱۴۰۰/۰۴/۰۷
    کاش مقالات pdf می شد یا تمام مقالات بصورت کتاب چاپ می شد و زمان بروزرسانی مقالات یک اصلاحیه برای کتاب آپلود می شد
  • شریفی

    ۱۴۰۰/۰۴/۰۴
    با سلام
    ممنون از ارائه مطالب خوبی که در این مقاله آورده شده است

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۹/۰۷
    سلام،
    خواهش میکنم
     
  • عابدپور

    ۱۴۰۰/۰۳/۲۲
    با تشکر از نویسنده محترم ممنون بابت متن شیوا و روان

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۳/۲۳
    ممنون از حسن توجه شما
  • خزاییان

    ۱۴۰۰/۰۲/۱۱
    با سلام.این مقاله بسیار جالب و با زبان روان و ساده بیان شده.تشکر

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۲/۱۲
    سلام . از حسن توجه شما سپاسگزاریم
  • صارمی

    ۱۴۰۰/۰۱/۲۵
    سلا م من برای مسابقه ثبت نام کردم الان مثلا برای خوندن این مقاله باید مقالات مرتبط بااین مبحث رو هم بخونم برای مسابقه یا فقط این چند صفحه کافیه؟

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۱/۲۶
    سلام . فقط مقالاتی که توی جدول منابع مسابقه گفته شده مطالعه کنید. نیاز نیست مقالات مرتبط مطالعه کنید
  • قاضی عسگر

    ۱۴۰۰/۰۱/۲۲
    سلام و عرض ادب؛ امکانش نیست این مقالات رو به صورت PDF دانلود کرد؟

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۱/۲۶
    سلام .این امکان وجود ندارد
  • غزی

    ۱۴۰۰/۰۱/۱۱
    موضوع بسیار جالبی بود اما در اکثر آزمون ها سوالاتی مشاهده شد که پاسخشان در مقاله موجود نبود.

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۴/۰۲
    با سلام و تشکر از حسن توجه شما
    لطفا در صورت مشاهده مغایرت، صورت سوال را بفرمایید تا موضوع بررسی شود.
  • فضلی شکوهی

    ۱۳۹۹/۱۲/۲۲
    کدام حالت اتصال p-n باعث یکسوکنندگی دیود می‌شود؟ باسلام مگه جواب این سوال بایاس مستقیم نمیشه؟

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۰/۰۴/۰۲
    با سلام
    لطفا صورت سوال را بفرمایید تا موضوع را بررسی کنیم.
  • دودکانلوی میلان

    ۱۳۹۹/۱۲/۱۱
    عالی بود، درواقع مقدمه‌ی درس الکترونیک ۱ نوشته‌ی میرعشقی هم همین هستش ، با این تفاوت که این مقاله بهتر و آسون‌تر توضیح داده .

    مدیر سیستم

    ۱۳۹۹/۱۲/۱۶
    سلام .از حسن نظر شما متشکریم
  • دایی رضایی

    ۱۳۹۹/۱۲/۰۹
    با سلام تو ازمون سخت یکی از سوالا اشتباهه با اتصال نیمه های نوع p به قطب مثبت باتری و نیمه هادی نوع n به قطب منفی بایاس موافقه ولی زده غلطه

    مدیر سیستم

    ۱۳۹۹/۱۲/۱۶
    با سلام .لطفا عنوان سوال را بگید تا بررسی کنیم.