توسعه حافظه های نانوبلوری
توسعه حافظه های نانوبلوری
حافظه‌های غیرفرار قابل حمل به‌طور گسترده در تجهیزات الکترونیکی قابل حمل (پرتابل) به‌کار گرفته می‌شوند. بنابراین، انتظار می‌رود اندازه ابعاد حافظه‌های متداول رو به کاهش گذارد. بار الکتریکی ذخیره‌شده در گیت شناور می‌تواند به‌آسانی، از طریق یک اکسید تونلی باریک، نشت کند و باعث کاهش قابلیت اطمینان شود. برای حل این مشکل، حافظه‌های نانوبلوری پیشنهاد شده‌اند. حافظه‌های نانوبلوری جایگزین مناسبی برای حافظه‌های غیرفرارند، زیرا دارای سرعت عملکردی بالا، مقیاس‌پذیری مناسب، و قابلیت اطمینان بالایی هستند. مقاله حاضر، مروری بر وضعیت موجود تحقیقات در زمینه حافظه‌های نانوبلوری، مواد تشکیل‌دهنده، فرایند ساخت، ساختارها، و روش‌های عملیاتی بروز جدیدترین فناوری حافظه‌های نانوبلوری دارد.
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
مقدمه
1. روش‌های تشکیل نانوبلور
1.1. خودسازماندهی
2.1. رسوب‌نشانی
3.1. واکنش شیمیایی
2. سیر تکاملی مواد و فناوری‌ها
3. سیر تکاملی ساختار تجهیزات
4. چالش‌ها
5. قابلیت ساخت و تولید مجدد
6. نشتی بارهای الکتریکی
7. خلاصه
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
مقدمه
1. روش‌های تشکیل نانوبلور
1.1. خودسازماندهی
2.1. رسوب‌نشانی
3.1. واکنش شیمیایی
2. سیر تکاملی مواد و فناوری‌ها
3. سیر تکاملی ساختار تجهیزات
4. چالش‌ها
5. قابلیت ساخت و تولید مجدد
6. نشتی بارهای الکتریکی
7. خلاصه
لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - Ting-Chang Changa,Fu-Yen Jiana, Shih-Cheng Chenc,Yu-Ting Tsaib ,Materials Today , 2011, V.14, No.12
