ترانزیستورهای لایه نازک بر پایه مواد نیمه هادی آلی
ترانزیستورهای لایه نازک بر پایه مواد نیمه هادی آلی
در این مقاله ساختار و ویژگیهای ترانزیستورهای لایه نازک آلی مورد بررسی قرار می گیرد. ساختار ترانزیستوری مورد نظر بر روی یک زیر لایه که می تواند از مواد مختلف عایق مانند مواد انعطاف پذیر پلاستیکی یا لامهای شیشه ای باشد قابل ساخت می باشد. به صورت مشخص در این مقاله به ساختاری که با استفاده از روش لایه نشانی تبخیر گرمایی در خلاء قابل ایجاد است، پرداخته می شود. اتصالات فلزی به کار رفته در ساختار ترانزیستوری مورد نظر که از نوع ترانزیستورهای اثرمیدانی می باشد، شامل اتصالات گیت، درین (drain) وسورس (source) با استفاده از لایه نشانی فلزاتی مانند آلومینیوم، طلا و یا نقره ایجاد می گردند. ضخامت این لایه ها به صورت متوسط حدود nm30 است. لایه عایق گیت از لایه نشانی پلیمرهای عایق مانند PVA و PS به ترتیب با ضخامتهای تقریبی nm 200 و nm 30 ایجاد می گردد که معمولاً با استفاده از روش لایه نشانی گردشی(spin coating) ایجاد می شوند. لایه فعال ترانزیستوری که فرآیند تشکیل کانال هدایت وانتقال بار در آن انجام می شود، از یک ماده نیمه هادی آلی و با روشهای مختلف با ضخامت بین nm 20 تا nm 40 رشد داده می شود. لایه های بافر تزریق بار با ضخامتهای کمتر از nm 10 و لایه های نهایی رشد داده شده،الکترودهای فلزی درین و سورس می باشند.
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1-مقدمه
2-هدایت بار در مواد نیمه هادی آلی
3-پارامترهای و مشخصه های الکتریکی OFET
4- نتیجه گیری
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1-مقدمه
2-هدایت بار در مواد نیمه هادی آلی
3-پارامترهای و مشخصه های الکتریکی OFET
4- نتیجه گیری
لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - Bao, Z.J. Locklin, Organic field-effect transistors. Vol. 128. 2007: CRC.
۲ - Brutting, W., Physics of Organic semiconductors. 2005: Wiley-VCH.
۳ - Gregor, M.G. Tibor, Advances in Polymer Science-Organic Electronic. Vol. 233. 2010, Springer Heidelberg Dordrecht London New York: Springer.
