ترانزیستورهای حالت جامد اثر کوانتومی
ترانزیستورهای حالت جامد اثر کوانتومی
در این مقاله به بررسی ترانزیستورهای در مقیاس نانو برای استفاده در کامپیوترهای با مدار مجتمع الکترونیکی بسیار فشرده می‌پردازیم. به منظور کوچک سازی بیشتر اجزای مدار به مقیاس نانو، شاید حتی مقیاس مولکولی، محققان چندین جایگزین برای ترانزیستور در مدار فوق فشرده، پیشنهاد داده‌اند. این وسایل الکترونیک نانومقیاس شبیه ترانزیستورهای حال حاضر، هم به عنوان سوئیچ و هم به عنوان تقویت کننده عمل می‌کنند. اما، بر خلاف ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی، که بر اساس حرکت توده الکترون در ماده حجیم عمل می‌کند، وسیله جدید، از پدیده‌های مکانیک کوانتومی سود می‌برد که در مقیاس نانو اتفاق می‌افتد. در این مقاله ابتدا ترانزیستورهای معمول مورد بررسی قرار می‌گیرد و محدودیت‌های آن و مشکلات کوچکترسازی آنها مطرح می‌شود و برای حل این مشکل ترانزیستورهای حالت جامد که از اثرات کوانتومی در مقیاس نانو بهره می‌گیرند، پیشنهاد می‌شود و از این میان، نمونه ترانزیستور تونل زنی رزونانسی بحث خواهد شد.
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- مقدمه
2-ساختار و عملکرد MOSFET
3-مشکلات در کوچکترسازی بیشترFET
4-وسایل نانوالکترونیک اثر کوانتومی حالت جامد
5-جزایر، چاه پتانسیل، و اثر کوانتومی
6-ترانزیستور تونلی رزونانس (RTT)
7-نتیجه‌گیری
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- مقدمه
2-ساختار و عملکرد MOSFET
3-مشکلات در کوچکترسازی بیشترFET
4-وسایل نانوالکترونیک اثر کوانتومی حالت جامد
5-جزایر، چاه پتانسیل، و اثر کوانتومی
6-ترانزیستور تونلی رزونانس (RTT)
7-نتیجه‌گیری
لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - Goldber-gordon, D., Montemerlo, S., Christofer, J., Opteck, G., Ellenbogen C. , “Overview of Nanoelectronic Device”, McLean , USA: Mitre Corporation (April 1997) .
