اصول و مفاهیم طیفسنج فوتوالکترون پرتو ایکس - بخش دوم
اصول و مفاهیم طیفسنج فوتوالکترون پرتو ایکس - بخش دوم
طیفسنجی فوتوالکترون پرتو ایکس، روشی بهمنظور بررسی سطح نمونه تا عمق حدود 100 انگستروم از نظر آنالیز عنصری، ترکیب شیمیایی و تعیین حالت پیوندی است. با توجه به این نکته که انرژی جنبشی الکترونهای گسیل شده بر اثر یونیزاسیون یک ماده با فوتون تکفام پرتو ایکس مورد اندازهگیری قرار میگیرد، طیف فوتوالکترونهای آن ماده، بر مبنای تعداد الکترونهای گسیلی برحسب انرژی ترسیم میشود. انرژی فوتوالکترونهای هر نمونه آزمون، مشخصهی اتمهای تشکیل دهندهی آن است، بنابراین اندازهگیری انرژی جنبشی این فوتوالکترونها معیاری برای تعیین عناصر موجود در آن نمونه است. شناسایی حالت شیمیایی و الکترونی عناصر ماده مانند تمایز قائل شدن بین اشکال سولفاتی و سولفیدی عنصر گوگرد از انحرافات اندکی در انرژی جنبشی و اندازهگیری میزان غلظت نسبی آن عنصر با توجه به شدت فوتوالکترونهای مربوطه امکانپذیر است. از این روش در طیف وسیعی از صنایع چون هوافضا، الکترونیک، ارتباطات و حمل و نقل و غیره میتوان بهره برد.
در بخش اول اصول و مفاهیم طیفسنج فوتوالکترون پرتو ایکس سرفصلهای مقدمه، اصول فیزیکی فوتوالکترون پرتو ایکس (XPS)، تئوری فوتوالکترون پرتو ایکس (XPS)، نمودار طیفسنجی XPS، تفسیر زمینهی طیف XPS و اثر جابجایي شیمیایی روی طیف فتوالکترون پرتو ایکس مورد مطالعه گرفتند.
این مقاله شامل سرفصلهای زیر است:
1- اجزای تشکیل دهندهی طیفسنج فوتوالکترون پرتو ایکس
2- آمادهسازی نمونه
3- کاربردهای XPS
نتیجهگیری
در بخش اول اصول و مفاهیم طیفسنج فوتوالکترون پرتو ایکس سرفصلهای مقدمه، اصول فیزیکی فوتوالکترون پرتو ایکس (XPS)، تئوری فوتوالکترون پرتو ایکس (XPS)، نمودار طیفسنجی XPS، تفسیر زمینهی طیف XPS و اثر جابجایي شیمیایی روی طیف فتوالکترون پرتو ایکس مورد مطالعه گرفتند.
این مقاله شامل سرفصلهای زیر است:
1- اجزای تشکیل دهندهی طیفسنج فوتوالکترون پرتو ایکس
2- آمادهسازی نمونه
3- کاربردهای XPS
نتیجهگیری
این مقاله از مجموعه مقالات فصل نامه شبکه آزمایشگاهی فناوریهای راهبردی سال 2017 شماره 20 برگرفته شده است. برای دسترسی به مراکز خدمات دهنده آنالیز طیفسنج فوتوالکترون پرتو ایکس (XPS) بر روی دکمه زیر کلیک کنید.
لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - Einstein, A. Ann. Phys. Leipzig (1905), 17, 132-148.
۲ - Siegbahn, K.; Edvarson, K. I. Al (1956). "β-Ray spectroscopy in the precision range of 1 : 1e6". Nuclear Physics.
۳ - C. Nordling E. SokolowskiK. Siegbahn, Phys. Rev. (1957), 105, 1676.
۴ - D.W. TurnerM.I. Al Jobory, “Determination of Ionization Potentials by Photoelectron Energy Measurement”. J. Chem. Phys. (1962), 37, 3007.
۵ - S. Hagström, C. NordlingK. Siegbahn, Phys. Lett. (1964), 9, 235.
۶ - J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben (1992), Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, Perkin-Elmer Corp, Eden Prairie, MN.
۷ - D. R. Vij, Handbook of Applied Solid State Spectroscopy, Springer, New York, (2006).
۸ - University of Illinois at Urbana-Champaign [groups.mrl.illinois.edu/nuzzo/0-ppt/XPS Class 99.pps].
۹ - A. T. Hubbard, The Handbook of Surface ImagingVisualization, CRC Press, Boca Raton, Florida, (1995).
۱۰ - Watts, J. F., Wolstenholme, J. (2003), “An Introduction to Surface Analysis by XPSAES”, 2nd Edition, New York, Wiley.
۱۱ - X-ray Photoelectron Spectroscopy, D. Torres, University of Texas at El Paso [nanohub.org/resources/2011/download/x-ray photoelectron spectroscopy (xps).ppt].
۱۲ - XPS Spectra, CasaXPS www.casaxps.com/help_manual/manual_updates/xps_spectra.pdf
۱۳ - https://en.wikipedia.org/wiki/X-ray_photoelectron_spectroscopy.
۱۴ - Crist, B.V. (2004), “Handbooks of Monochromatic XPS Spectra”, USA, published by XPS International LLC
۱۵ - University of Western Ontario [mmrc.caltech.edu/SS_XPS/XPS_PPT/XPS_Slides.pdf].
۱۶ - D. Briggs (2003), XPS: Basic Principles, Spectral FeaturesQualitative Analysis, in: D. Briggs, J.T. Grant (Eds.), Surface Analysis by AugerX-ray Photoelectron Spectroscopy, IM Publications, Chichester, 31-56.