اصول کلی روش انباشت الکتروشیمیایی
اصول کلی روش انباشت الکتروشیمیایی
در این مقاله توضیحی راجع به اصول کلی روش انباشت الکتروشیمیایی (Electrochemical deposition) آورده شده است و بطور خاص استفاده از این روش در پر کردن قالب‌های آلومینای آندیک متخلخل، جهت تولید نانوسیم درون این قالب‌ها بررسی گردیده است. بطور کلی پرکردن این قالب‌ها با روش انباشت الکتروشیمیایی از سه طریق انجام می پذیرد که یکی از این روش‌ها یعنی استفاده از ولتاژ مستقیم در انباشت، در اینجا آمده و دو روش دیگر یعنی استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی در مقاله‌ی جلسه دوم آورده شده است. پرکردن این قالب‌ها نیاز به آماده سازی آن قبل از انجام انباشت دارد. در روش انباشت الکتروشیمیایی با استفاده از ولتاژ مستقیم، عملیات آماده سازی قالب شامل بازکردن حفره‌ها و نشاندن لایه‌ای رسانا در ته آنها بعنوان سطح کاتدی آزمایش است که توضیح مختصری درباره‌ی این مراحل نیز آورده شده است.
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- مقدمه
2- اصول کلی انباشت الکتروشیمیایی
3- پرکردن قالب آلومینای آندیک متخلخل
4- الکتروانباشت با ولتاژ مستقیم
1-4- حل کردن آلومینیوم پشت نمونه
2-4- برداشتن لایه‌ی سدی و گشاد کردن حفره‌ها
5- بحث و نتایج
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- مقدمه
2- اصول کلی انباشت الکتروشیمیایی
3- پرکردن قالب آلومینای آندیک متخلخل
4- الکتروانباشت با ولتاژ مستقیم
1-4- حل کردن آلومینیوم پشت نمونه
2-4- برداشتن لایه‌ی سدی و گشاد کردن حفره‌ها
5- بحث و نتایج
لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - Eftekhari. A, “Nanostructured Materials in Electrochemistry”, Avicenna Institute of Technology Cleveland, (2008).
۲ - L. Sun, Y. HaoC. Chien, IBM J. Res.Dev. 49, 79 (2005).
۳ - Y. Z. Piao, H. C. Lim, J. Y. Chang, W. Y. Lee,H. S. Kim, Electrochim. Acta, 50, 2997 (2005).
۴ - S. K. Hwang, S. H. Jeong, H. Y. Hwang, O. J. Lee, K. H. Lee, Korean J. Chem. Eng, 19, 467–473 (2002).
۵ - J. Choi, G. Sauer, K. Nielsch, R. B. Wehrspohn, U. Gösele, Chem. Mater, 15, 776–779 (2003).
۶ - D. H. Choi, P. S. Lee, W. Hwang, K. H. Lee, H. C. Park, Curr. Appl. Phys, 6S1, e125–e129 (2006).
۷ - A. W. Hassel, B. Bello-Rodriguez, S. Milenkovic, A. Schneider, Electrochim. Acta, 50, 3033–3039 (2005).
۸ - S. Shigubara, O. OkinoY. Sayama, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 7791 (1997).
۹ - . M. E. Mata-Zamora, J. M. Saniger, Rev. Mex. Fis. 51, 502–509 (2005).
۱۰ - G. D. Sulka, S. Stroobants, V. Moshchalkov, G. Borghs, J. P. Celis, J. Electrochem. Soc, 149, D97–D103 (2002).
۱۱ - Y. Jia, H. Zhou, P. Luo, S. Luo, J. Chen, Y. Kuang, Surf. Coat. Technol, 201, 513–518 (2006).
۱۲ - A. P. Li, F. Müller, U. Gösele, Electrochem. Solid State Lett, 3, 131–134 (2000).
۱۳ - J. Choi, G. Sauer, K. Nielsch, R. B. Wehrspohn, U. Gösele, Chem. Mater, 15, 776–779 (2003).
۱۴ - D. H. Choi, P. S. Lee, W. Hwang, K. H. Lee, H. C. Park, Curr. Appl. Phys, 6S1, e125–e129 (2006).
