اصول تصوير‌برداري در ولتاژهاي بسيار پايين با ميکروسکوپ الکتروني روبشي
اصول تصوير‌برداري در ولتاژهاي بسيار پايين با ميکروسکوپ الکتروني روبشي
پيشرفت‌هاي فني در زمينه ميکروسکوپ الکتروني با قدرت تفکيک بالا در ولتاژ پايين، مانند استفاده از آشکارسازهاي جديد و کاهش خطاي کروماتيک، اين امکان را فراهم نموده است تا اطلاعات ارزشمندي در رابطه با مواد نارسانا که پيش از اين تصویربرداری از آنها در ميکروسکوپ‌هاي الکتروني با مشکلاتی همراه بوده است، به‌‌دست آيد. همچنين از مزاياي ميکروسکوپ الکتروني روبشي با ولتاژ پايين مي‌توان به کاهش تخريب نمونه‌هاي شکننده، کاهش حجم برهمکنش بین الکترون و ماده، کاهش شارژ الکتروني نمونه‌هاي نارسانا و محدوده انرژي الکترون‌ها اشاره نمود. بنابراين، انتخاب شرايط بهينه عملي در ميکروسکوپ الکتروني روبشي، به‌منظور دستيابي به جزئيات واقعي از سطح نمونه‌ها، از اهميت بسيار زيادي برخوردار است.
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
2- ميکروسکوپ الکتروني روبشي ولتاژ پايين
3- محدوديت‌هاي ميکروسکوپ الکتروني روبشي ولتاژ پايين
4- اجزاي ميکروسکوپ الکتروني روبشي ولتاژ پايين
5- امکانات جديد در راستای بهبود آشکارسازها و استفاده از فيلتر انرژي
6- مثال‌هايي از آماده سازي نمونه‌ها برای کار با ميکروسکوپ الکتروني روبشي ولتاژ پايين
7- کاربرد ميکروسکوپ الکتروني روبشي ولتاژ پايين
8- ميکرو آناليز در ميکروسکوپ الکتروني روبشي با ولتاژ پايين
نتيجه‌گيري
این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
2- ميکروسکوپ الکتروني روبشي ولتاژ پايين
3- محدوديت‌هاي ميکروسکوپ الکتروني روبشي ولتاژ پايين
4- اجزاي ميکروسکوپ الکتروني روبشي ولتاژ پايين
5- امکانات جديد در راستای بهبود آشکارسازها و استفاده از فيلتر انرژي
6- مثال‌هايي از آماده سازي نمونه‌ها برای کار با ميکروسکوپ الکتروني روبشي ولتاژ پايين
7- کاربرد ميکروسکوپ الکتروني روبشي ولتاژ پايين
8- ميکرو آناليز در ميکروسکوپ الکتروني روبشي با ولتاژ پايين
نتيجه‌گيري
لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - D. C. BellN. Erdman, Low Voltage Electron Microscopy: PrinciplesApplications © 2013 John Wiley & Sons, Ltd. Published 2013 by John Wiley & Sons, Ltd.
۲ - A.J. Dekker, Secondary electron emission, inSolid State Physics,F.SeitzandD.Turnbull (eds.), Academic Press, Inc., 251–311 (1958)
۳ - R. Schmid, K.H. Gaukler,H. Seiler, Measurement of elastically reflectedelectrons (E≤2.5 keV) for imaging of surfaces in a simple ultrahigh vacuum SEM, Scanning Electron Microscopy 1983/II, SEM Inc., AMF O’Hare, 501–509 (1983).
۴ - J.Goldstein, D.E. Newbury, D.C. Joy,etal., Scanning Electron MicroscopyX-Ray Microanalysis, 3rd edn, Springer, New York, (2003).
۵ - D.C. JoyC.S. Joy, Low Voltage Scanning Electron Microscopy, Micron, 27, 247–263 (1996).
۶ - M. Kotera, K. Murata,K. Nagami, Monte Carlo simulation of 1–10 keVelectron scattering in a gold target,J. Appl. Phys.,52, 997–1003 (1981a).
۷ - L. ReimerC. Tollkamp, Measuring the backscattering coefficientsecondary electron yield inside a SEM, Scanning, 3, 35–39 (1980).
۸ - K. KishidaN.D. Browning, Atomic resolution Z-contrast imaging of grain boundaries in Ag-sheathed BSCCO high-Tc superconducting tapes, in Electron MicroscopyAnalysis 1999, IOP Publishing Ltd: Bristol (1999).
۹ - E.M. JamesN.D. Browning, Atomic resolution scanning transmission electron microscopy on the 200 kV FEGTEM, Scanning, 21, 91–92 (1999).
۱۰ - R.F. KlieN.D. Browning, Atomic scale characterization of oxygen vacancy segregation at SrTiO3 grain boundaries, Appl. Phys. Lett., 77, 3737–3739 (2000).181–203 (2004).
۱۱ - E.M. James,N.D. Browning, Practical aspects of atomic resolution imaginganalysis in STEM, Ultramicroscopy, 78, 125–139 (1999).
۱۲ - E.M. James, N.D. Browning, A.W. Nicholls, et al., Demonstration of atomic resolution Z-contrast imaging by a JEOL JEM-2010F scanning transmission electron microscope, J. Electr. Microsc, 47, 561–574 (1998).
۱۳ - M. Haider, S. Uhlemann,J. Zach, Upper s for the residual aberrations of a high-resolution aberration-corrected STEM, Ultramicroscopy, 81, 163–175 (2000).
۱۴ - N. Dellby, O.L. Krivanek, P.D. Nellist, P.E. Batson,A.R. Lupini, Progress in aberration-corrected scanning transmission electron microscopy, J. Electr. Microsc, 50, 177–185 (2001).
۱۵ - P.E. Batson, N. Dellby,O.L. Krivanek, Sub-angstrom resolution using aberration corrected electron optics, Nature, 419, 94–94 (2002).
۱۶ - L.J. Allen, S.D. Findlay, A.R. Lupini, et al., Atomic-resolution electron energy loss spectroscopy imaging in aberration corrected scanning transmission electron microscopy, Phys. Rev. Lett., 91, 105503–105506 (2003).
۱۷ - O.L. Krivanek, P.D. Nellist, N. Dellby, et al. gyi, towards sub-0.5 angstrom electron beams, Ultramicroscopy, 96, 229–237 (2003).
۱۸ - P.D. Nellist, M.F. Chisholm, N. Dellby, et al., Direct sub-angstrom imaging of a crystal lattice, Science, 305, 1741–1741 (2004).
۱۹ - T. Isabell, J. Brink, M. Kawasaki, et al., Development of a 200kV Atomic REsolution Analytical Electron Microscope, Microsc. Today, 17, 8–11 (2009).
۲۰ - B. Freitag, G. Knippels, S. Kujawa, et al., First performance measurementsapplication results of a new high brightness Schottky field emitter for HR-S/TEM at 80–300kV acceleration voltage, in European Microscopy Congress (2008).
۲۱ - H. Rose, Phase Contrast in Scanning Transmission ElectronMicroscopy, Optik, 39, 416–436 (1974).
۲۲ - J.M. Cowley, M.S. HansenS.-Y. Wang, imaging modes with an annular detector in STEM, Ultramicroscopy, 58, 18–24 (1995).
۲۳ - J.Cazaux, Charging in scanning electron microscopy ‘‘ insideoutside’’, Scanning, 26, 181–203 (2004).
رشوند
۱۴۰۰/۰۶/۲۶مدیر سیستم
۱۴۰۱/۱۱/۰۸