ترانزیستورهای مبتنی بر مواد دو بعدی

ترانزیستورهای مبتنی بر مواد دو بعدی
سطح مقاله

تخصصی
کلمات کلیدی

ترانزیستور اثر میدانی FET
نانومواد دوبعدی
نانوالکترونیک
امتیاز کاربران

۲ امتیاز از ۵ (۳ رای)

 
 
آمار مقاله

  • بازدید کل ۲۹,۰۷۲
 
آمار آزمون مقاله

  • کل شرکت کنندگان ۰
  • تعداد افراد شرکت کننده ۰
 
 

ترانزیستورهای مبتنی بر مواد دو بعدی

ترانزیستورهای اثر-میدان (Field-effect transistors ) مبتنی بر مواد دو بعدی (2D) پتانسیل استفاده در فناوری یکپارچه‌سازی بسیار بزرگ مقیاس Field-effect transistors (VLSI) را دارند. برای رسیدن به این پتانسیل، باید بر چالش‌های متعددی غلبه کرد، از جمله کاهش مقاومت تماس، توسعه طرح‌های آلایش پایدار و قابل کنترل، مهندسی موبیلیته و غیره. رشد وسیع لایه‌های دو بعدی یکنواخت نیز برای اطمینان از چگالی نقص پایین، تفاوت اندک بین افزاره‌ها، و سطوح مشترک تمیز لازم است. این مقاله به بررسی ترانزیستورهای اثر میدانی دو بعدی برای استفاده در فناوری‌های VLSI آینده و همچنین کاربردهای بالقوه ترانزیستورهای دوبعدی در میکرو/نانوالکترونیک متعارف، رایانش نورومورفیک که نوعی رایانش با تقلید از مغز و مدارهای عصبی است ، حسگرهای پیشرفته، و فناوری‌های interconnect می‌پردازد[1].


لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
 

منابـــع و مراجــــع
۱ - Jacob, Ajey P., et al. "Scaling challenges for advanced CMOS devices." International Journal of High Speed ElectronicsSystems 26.01n02 (2017): 1740001.
۲ - Uchida, Ken, et al. "Experimental study on carrier transport mechanism in ultrathin-body SOI nand p-MOSFETs with SOI thickness less than 5 nm." Digest. International Electron Devices Meeting,. IEEE, 2002.
۳ - List of thin film samples available. 2D Crystal Consortium https://www.mri.psu.edu/2d-crystal-consortium/user-facilities/thin-films/list-thin-film-samples-available (2021).
۴ - Zhang, Fu, et al. "Etchant-free transfer of 2D nanostructures." Nanotechnology 29.2 (2017): 025602.
۵ - International Roadmap for DevicesSystems (IEEE, 2020); https://irds-ieee-org.access.semantak.com/editions/2020
ارسال نظر