لایه‌نشانی به روش کندوپاش

 لایه‌نشانی به روش کندوپاش
سطح مقاله

پیشرفته 1
کلمات کلیدی

پلاسما
لایه نشانی کندوپاش
تولید لایه نازک
خلا
امتیاز کاربران

۴ امتیاز از ۵ (۴ رای)

لایه‌نشانی به روش کندوپاش

با توجه به کاربرد لایه‌­‎های نازک در بخش‎­‌های مختلف صنعت، تاکنون روش‌‎­های مختلفی برای ساخت لایه‌های نازک معرفی شده است. یکی از روش‌هایی که برای ساخت لایه‌های نازک استفاده می‌شود، لایه‌نشانی به روش رسوب‌دهی فیزیکی از فاز بخار (PVD) است [1]. روش PVD یکی از روش‌های لایه‌نشانی در خلأ بوده و دارای انواع مختلفی است. روش کندوپاش به عنوان یکی از این روش‌ها دارای مراحل مختلفی شامل تبخیر ماده منبع، انتقال بخار از منبع به زیرلایه و تشکیل لایه نازک روی زیرلایه است [2]. در این روش، ماده هدف که به ولتاژ منفی متصل است، نقش کاتد را دارد. با برخورد ذرات پر‌انرژی به سطح ماده هدف، اتم­‌ها یا مولکول­‌های آن از سطح جدا شده و به بیرون پرتاب می­‌شوند و در میدان ایجاد‌ کننده پلاسما شتاب می‌گیرند. بدین ترتیب لایه‌­ای از جنس ماده هدف روی زیرلایه (آند) که به ولتاژ مثبت متصل است، انباشت می‌شود. از این روش برای ایجاد پوشش و تهیه لایه­‌های نازک برای کاربردهای اپتیکی، ذخیره‌سازی مغناطیسی و غیره مورد استفاده قرار می‌گیرد.

این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- مقدمه
2- فرایند کندوپاش
1-2- انواع روش­‌های کندوپاش
1) کندوپاش مغناطیسی
2) کندوپاش با دیود موازی
3) کندوپاش با دیود مسطح
4) کندوپاش تریودی
2-2- کندوپاش مگنترون (Magnetron sputtering)
3- مزایا و معایب
4- کاربردهای روش کندوپاش
1) لایه‌نشانی
2) حکاکی
3) آنالیز و مشخصه‌یابی
4) تولید نانوذرات
4- نتیجه‌گیری

 


لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
 

منابـــع و مراجــــع
۱ - Kelly, Peter J.,R. Derek Arnell. "Magnetron sputtering: a review of recent developmentsapplications." Vacuum 56.3 (2000): 159-172.
۲ - Heyning, O. T., P. Bernier,M. Glerup. "A low cost method for the direct synthesis of highly Y-branched nanotubes." Chemical physics letters 409.1-3 (2005): 43-47.
۳ - Sarakinos, Kostas, Jones Alami,Stéphanos Konstantinidis. "High power pulsed magnetron sputtering: A review on scientificengineering state of the art." SurfaceCoatings Technology 204.11 (2010): 1661-1684
ارسال نظر