11- لایه‌نشانی فیزیکی از فاز بخار- لایه‌نشانی تبخیری با باریکه الکترونی

11- لایه‌نشانی فیزیکی از فاز بخار- لایه‌نشانی تبخیری با باریکه الکترونی
سطح مقاله

پیشرفته 1
کلمات کلیدی

لایه‌نشانی فاز بخار
لایه نشانی
پوشش‌دهی
خلا
امتیاز کاربران

۴ امتیاز از ۵ (۲ رای)

11- لایه‌نشانی فیزیکی از فاز بخار- لایه‌نشانی تبخیری با باریکه الکترونی

فرآیند پوشش‌دهی یکی از مهم‌ترین مباحث روز مهندسی سطح بوده و نقش به‌سزایی در تعیین خواص و کاربرد یک قطعه تولید‌ شده دارد. با توسعه روش‌های پوشش‌دهی و هم‌چنین گسترش روزافزون خواص پوشش‌های تولید‌ی، امکان استفاده مؤثر از این پوشش‌ها در صنایعی هم‌ چون ادوات اپتیکی، میکروالکترونیک، معماری و ساختمان‌سازی فراهم شده است. روش‌های بسیار متنوع و زیادی برای تولید پوشش مناسب بسته به کاربرد آن وجود دارد. این روش‌ها هم در خلأ و هم در اتمسفر هوا انجام می‌پذیرند. روش لایه‌نشانی فیزیکی از فاز بخار (Physical Vapor Deposition, PVD)، یکی از روش‌های نوین و پرکاربردی است که در خلأ انجام می‌شود. فرآیند لایه‌نشانی تبخیری به کمک باریکه الکترونی (Electron Beam Evaporation) یکی از زیرشاخه‌های روش لایه‌نشانی فیزیکی از فاز بخار به‌شمار می‌رود. در این مقاله، به طور اجمالی به معرفی فرآیند لایه‌نشانی تبخیری به کمک باریکه الکترونی پرداخته شده و اصول و مبانی آن مورد بحث و بررسی قرار می‌گیرد. همچنین، پیکربندی‌های مختلف برای هدایت و متمرکز کردن باریکه الکترونی، فرآیند جوانه‌زنی و رشد، مزایا، معایب و کاربردهای این روش، به طور مفصل بیان می‌شود. 

این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- مقدمه
2- پیکربندی‌های مختلف برای هدایت و متمرکز‌کردن باریکه الکترونی
3- فرآیند تبخیر با استفاده از باریکه الکترونی
4- فرآیند جوانه‌زنی و رشد لایه
5- مزایا، معایب و کاربردها
6- نتیجه‌گیری


لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
 

منابـــع و مراجــــع
۱ - Taherniya, Atefeh,Davood Raoufi. "The annealing temperature dependence of anatase TiO2 thin films prepared by the electron-beam evaporation method." Semiconductor ScienceTechnology 31, no. 12 (2016): 125012.
۲ - Qiu, Weiming, Ulrich W. Paetzold, Robert Gehlhaar, Vladimir Smirnov, Hans-Gerd Boyen, Jeffrey G. Tait, Bert Conings et al. "An electron beam evaporated TiO2 layer for high efficiency planar perovskite solar cells on flexible polyethylene terephthalate substrates." Journal of Materials Chemistry A 3, no. 45 (2015): 22824-22829.
۳ - Richter, K., C. Lorbeer,A-V. Mudring. "A novel approach to prepare optically active ion doped luminescent materials via electron beam evaporation into ionic liquids." Chemical Communications 51, no. 1 (2015): 114-117.
۴ - Thiagarajan, Shrividhya, Mahalingam Thaiyan,Ravi Ganesan. "Physical property exploration of highly oriented V2O5 thin films prepared by electron beam evaporation." New Journal of Chemistry 39, no. 12 (2015): 9471-9479.
۵ - AM, Kamalan Kirubaharan, P. Kuppusami,T. Dharini. "Thermal expansion studies of electron beam evaporated yttria films on Inconel-718 substrates." SurfaceCoatings Technology 354 (2018): 297-305.
۶ - Palei, Srikanta, Bhaskar Parida, Rajkumar Sahu, Jonghun Mun,Keunjoo Kim. "Double GaAs/Si Heterojunction Layers in Si Solar Cells Fabricated by Electron Beam Evaporation." Journal of nanosciencenanotechnology 19, no. 3 (2019): 1368-1375.
ارسال نظر

 
تعداد نظرات : ۱

  • شاکری

    ۱۴۰۱/۰۵/۰۹
    با سلام، در قسمت فرایند جوانه زنی و رشد، عبارت انرژی گرمایی به طور کامل از بین برود باید اصلاح شود. البته، مقدار حرکت آن‌ها روی زیرلایه بستگی به انرژی گرمایی آن‌ها دارد، به‌طوری که هرچه انرژی گرمایی آن‌ها بیشتر باشد، حرکت بیشتری روی زیرلایه خواهند داشت تا در نهایت انرژی گرمایی آن‌ها به طور کامل از بین برود.

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۱/۰۵/۱۰
    سلام
    در اینجا منظور از حرکت گرمایی که باعث حرکت اتمها روی زیر لایه میشود است و حرکت ارتعاشی ذاتی اتمها مدنظر نیست