11- بررسی استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی در انباشت الکتروشیمیایی

11- بررسی استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی در انباشت الکتروشیمیایی
سطح مقاله

پیشرفته 2
کلمات کلیدی

ولتاژ
پالسی
آلومینای متخلخل
نانوسیم
امتیاز کاربران

۴ امتیاز از ۵ (۲ رای)

11- بررسی استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی در انباشت الکتروشیمیایی

در مقاله‌ی جلسه اول بررسی اصول کلی انباشت الکتروشیمیایی (Electrochemical deposition) و جزئیات یکی از سه روش پرکردن قالب‌های آلومینای آندیک متخلخل یعنی استفاده از ولتاژ dc، آورده شد. در این مقاله به بررسی دو روش دیگر که استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی در پرکردن این قالب‌ها می‌باشد، پرداخته می‌شود. بدین منظور عملیات آماده سازی قالب که شامل نازک‌سازی لایه‌ی سدی می‌باشد آورده شده و جزئیات انباشت با استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی بررسی گردیده است. در ادامه الکتروانباشت نانوسیم‌های چندلایه و همچنین چگونگی حصول نانوسیم‌های نیمه‌هادی از این طریق بحث گردیده است.

این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- انباشت بدون باز کردن حفره‌ها
 1-1-نازک‌سازی لایه‌ی سدی
 2-1-انباشت با ولتاژ تناوبی
 3-1-انباشت با ولتاژ پالسی
2-الکتروانباشت آرایه‌های نانوسیم چندلایه
3-الکتروانباشت نانوسیم‌های نیمه‌هادی
4- بحث و نتایج


لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - R. C. Furneaux, W. R. Rigby, A. P. Davidson, Nature, 337, 147–149 (1989).
۲ - J. P. O'Sullivan, G. C. Wood, Proc. Roy. Soc. Lond. A 317, 511–54 (1970).
۳ - A. Birner, U. Grüning, S. Ottow, A. Schneider, F. Müller, V. Lehmann, H. Föll, U. Gösele, Phys. Stat. Sol. A, 165, 111–117 (1998).
۴ - D. Al Mawlawi, N. Coombs, M. Moskovits, J. Appl. Phys, 70, 4421 (1991).
۵ - K. Nielsch, F. Muller, A. Li, U. Gösele, Adv. Mater, 12, 582 (2000).
۶ - M. Sun, G. Zangari, M. Shamsuzzoha, R. Metzger, Appl. Phys. Lett, 78, 2964 (2001).
۷ - C. Preston, M. Moskovits, J. Phys. Chem, 97, 8495 (1993).
۸ - D. Al Mawlawi, C. Liu, M. Moskovits, J. Mater. Res, 9, 1014 (1994).
۹ - Q. Wang, G. Wang, B. Xu, J. Jie, X. Han, G. Lia, Q. Lic, J. G. Hou, Materials Letters, 59, 1378– 1382 (2005).
۱۰ - Y. Li, G. S. Cheng, L. D. Zhang, Materials Research Society, J. Mater. Res, 15, 11 (2000).
۱۱ - S. Gavrilov, L. Nosova, I. Sieber, A. Belaidi, L. Dloczik, Th. Dittrich, phys. stat. sol. A 202, 8, 1497–1501 (2005).
۱۲ - D. sh. Xu, D. Chen, Y. Xu, Xu. Shi, G. Guo, L. Gui, Y. Tang, Appl. Chem, 72, 1–2, 127–135 (2000).
ارسال نظر

 
تعداد نظرات : ۱

  • شاکری

    ۱۴۰۱/۰۵/۰۹
    با سلام، واکنش های آندی و کاتدی در بخش انباشت با ولتاژ تناوبی جابه جا نوشته شده اند...

    مدیر سیستم

    ۱۴۰۱/۰۵/۱۱
    سلام
    ممنون از حسن توجه شما بررسی و اصلاح شد