بررسی استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی در انباشت الکتروشیمیایی

بررسی استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی در انباشت الکتروشیمیایی
سطح مقاله

پیشرفته 2
کلمات کلیدی

ولتاژ
پالسی
آلومینای متخلخل
نانوسیم
امتیاز کاربران

۵ امتیاز از ۵ (۱ رای)

 
 
آمار مقاله

  • بازدید کل ۲۵,۸۸۴
 
آمار آزمون مقاله

  • کل شرکت کنندگان ۲۵
  • تعداد افراد شرکت کننده ۴
 
 

بررسی استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی در انباشت الکتروشیمیایی

در مقاله ی جلسه اول بررسی اصول کلی انباشت الکتروشیمیایی (Electrochemical deposition) و جزئیات یکی از سه روش پرکردن قالب های آلومینای آندیک متخلخل یعنی استفاده از ولتاژ dc، آورده شد. در این مقاله به بررسی دو روش دیگر که استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی در پرکردن این قالب ها می باشد، پرداخته می شود. بدین منظور عملیات آماده سازی قالب که شامل نازک سازی لایه ی سدی می باشد آورده شده و جزئیات انباشت با استفاده از ولتاژهای تناوبی و پالسی بررسی گردیده است. در ادامه الکتروانباشت نانوسیم های چندلایه و همچنین چگونگی حصول نانوسیم های نیمه هادی از این طریق بحث گردیده است.

این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1-انباشت بدون باز کردن حفره ها
 1-1-نازک سازی لایه ی سدی
 2-1-انباشت با ولتاژ تناوبی
 3-1-انباشت با ولتاژ پالسی
2-الکتروانباشت آرایه های نانوسیم چندلایه
3-الکتروانباشت نانوسیم های نیمه هادی
بحث و نتایج


لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - R. C. Furneaux, W. R. Rigby, A. P. Davidson, Nature, 337, 147–149 (1989).
۲ - J. P. O'Sullivan, G. C. Wood, Proc. Roy. Soc. Lond. A 317, 511–54 (1970).
۳ - A. Birner, U. Grüning, S. Ottow, A. Schneider, F. Müller, V. Lehmann, H. Föll, U. Gösele, Phys. Stat. Sol. A, 165, 111–117 (1998).
۴ - R. C. Furneaux, W. R. Rigby, A. P. Davidson, Nature, 337, 147–1 49 (1989).
۵ - D. Al Mawlawi, N. Coombs, M. Moskovits, J. Appl. Phys, 70, 4421 (1991).
۶ - K. Nielsch, F. Muller, A. Li, U. Gösele, Adv. Mater, 12, 582 (2000).
۷ - M. Sun, G. Zangari, M. Shamsuzzoha, R. Metzger, Appl. Phys. Lett, 78, 2964 (2001).
۸ - C. Preston, M. Moskovits, J. Phys. Chem, 97, 8495 (1993).
۹ - D. Al Mawlawi, C. Liu, M. Moskovits, J. Mater. Res, 9, 1014 (1994).
۱۰ - Q. Wang, G. Wang, B. Xu, J. Jie, X. Han, G. Lia, Q. Lic, J. G. Hou, Materials Letters, 59, 1378– 1382 (2005).
۱۱ - Y. Li, G. S. Cheng, L. D. Zhang, Materials Research Society, J. Mater. Res, 15, 11 (2000).
۱۲ - M. Chang, X. L. Cao, X. J. Xu, L. Zhang, Physics Letters A, 372, 273–276 (2008).
۱۳ - S. Gavrilov, L. Nosova, I. Sieber, A. Belaidi, L. Dloczik, Th. Dittrich, phys. stat. sol. A 202, 8, 1497–1501 (2005).
۱۴ - D. sh. Xu, D. Chen, Y. Xu, Xu. Shi, G. Guo, L. Gui, Y. Tang, Appl. Chem, 72, 1–2, 127–135 (2000).
ارسال نظر