طیف‌سنجی تونل‌زني روبشی در مطالعه نانومواد

طیف‌سنجی تونل‌زني روبشی در مطالعه نانومواد
سطح مقاله

پیشرفته 2
کلمات کلیدی

طيف‌سنجي تونل‌زني روبشي
میکروسکوپ تونل‌زنی روبشی
چگالي موضعي ترازهاي الكتروني
گاف نواري
امتیاز کاربران

امتیاز از ۵ (۰ رای)

 
مقالات مرتبط

میکروسکوپ تونل‌زنی روبشی
میکروسکوپ تونل‌زنی روبشی دمای پائین
 
آمار مقاله

  • بازدید کل ۱,۳۵۷
 
آمار آزمون مقاله

  • کل شرکت کنندگان ۰
  • تعداد افراد شرکت کننده ۰
 
 

طیف‌سنجی تونل‌زني روبشی در مطالعه نانومواد

طيف‌سنجي تونل‌زني روبشي (STS) روش آزمايشگاهي قوي در ميكروسكوپ تونل‌زني روبشي (STM) است كه بررسي چگالي حالت‌هاي انرژي (DOS) و گاف نواري سطوح و مواد روي آنها را در مقياس اتمي ممكن می‌کند. همچنین اطلاعات مهمی در رابطه با توزیع خاص سیستم‌های الکترونی را در اختیار قرار می‌دهد. به‌طور كلي (STS)، در حالت جريان ثابت با اعمال باياس سوزن – نمونه، بررسي تغييرات و انجام اندازه‌گيري موضعي جريان تونلي، اندازه‌گيري هدايت تونلي (dI/dV) و مواردي ديگر را در بردارد.
 

این مقاله شامل سرفصل‌های زیر است:
1- مقدمه
2- طیف‌سنجی تونل‌زني روبشی(STS)
3- روش‌های تهیه نمودارهای طیف‌سنجی تونل‌زنی
  1-3- تفسير داده‌ها‌
      1-1-3- مثال‌هایی از نمودارهای طیف‌سنجی تونل‌زنی روبشی
4- محدوديت‌ها‌
5- نتیجه‌گیری


 
این مقاله از مجموعه مقالات فصل نامه شبکه آزمایشگاهی فناوری‌های راهبردی سال 2015 شماره 11 برگرفته شده است. برای دسترسی به مراکز خدمات دهنده آنالیز STM بر روی دکمه زیر کلیک کنید.
 


لطفا برای مشاهده متن کامل مقاله ابتدا وارد سایت شوید
منابـــع و مراجــــع
۱ - صدیقه صادق‌حسنی، كتاب میکروسکوپی تونل‌زنی روبشی و کاربرد آن در شرایط الکتروشیمیایی،1390.
۲ - G.Binning, H.Rohrer, Ch. Gerber,E. Weiber, Phys.Rev.Lett.49, 57 (1982); 50,120 (1983).
۳ - R.S. Becker, J. A. Golovchenko, D. R. Hamann, B. S. Swartzen- truber,Phys. Rev. Lett. 55, 2032 (1985); G.Binning, H.Rohrer, IBM J. Res. Dev. 30,355 (1986); W. J. KaiserR. C. Jakic, ibid. 30,411 (1986).
۴ - R. J. Hamers, R. M. Tromp,J. E. Demuth, Phy. Rev. Lett. 56, 1972 (1986); E. J. van Loenen, J. E. Demuth, R. M. Tromp,R. J. Hamers, ibid. 58,373 (1987). For a very readable review, see R. M. Tromp, R. J. Hares,J. E. Demuth, Science 234, 304 (1986).
۵ - J. A. Stroscio, R. M. Feenstra, J. A. Stroscio, J. Tersoff,A. P. Fein, Phy. Rev. Lett. 57,2579 (1986); R. M. Feenstra, J. A. Stroscio, J. Tersoff,A. P. Fein, ibid. 58, 1192 (1987).
۶ - K. Oura, V. G. Lifshits, A. A. Saranin, A. V. Zotov,M. Katayama, Surface Science: An Introduction, Berlin: Springer-Verlag, 2003.
۷ - R. J. HamersD. F. Padowitz, “Methods of Tunneling Spectroscopy with the STM,” Scanning Probe MicroscopySpectroscopy: Theory, Techniques,Applications, 2nd ed., Ed. by D. A. Bonnell, New York: Wiley-VCH, Inc., 2001.
۸ - N. Li, M. Zinke- AllmangH. Iwasaki, A re-examination of scanning tunneling spectroscopy for its practical application in studies of surface electronic structures, Surface Science 554 (2004) 253-261.
۹ - R. Wiesendanger, Scanning Probe MicroscopySpectroscopy: MethodsApplications, Cambridge, UK: Cambridge University Press, 1994.
۱۰ - R. C. BarrettS. Park, Design considerations for an STM system scanning tunneling microcopy, Ed. By W. J. KaiserJ. A. Stroscio, San Diego: Academic Press, Inc., 1993.
۱۱ - P. MårtenssonR. M. Feenstra, “Geometricelectronic structure of antimony on the GaAs(110) surface studied by scanning tunneling microscopy,” Phys. Rev. B 39, 11 7744-7753 (1989).
۱۲ - M.A.Reed et al., Science 278,252 (1997)
۱۳ - R. J.Hamers, STM on semiconductors, scanning tunneling microscopy I, Spinger series in surface science 20, Ed. By H. J. GuntherodtR. Wiesendanger, Berlin: Springer- Verlag, 1992.
۱۴ - A. P. Labonte, PhD Thesis, Scanning tunneling spectroscopy on organic molecules, Purdue University, 2002.
ارسال نظر